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普樂(lè)斯的射頻真空等離子表面處理設(shè)備陽(yáng)極鞘層知識(shí)點(diǎn)

返回列表 來(lái)源：普樂(lè)斯 瀏覽：次 發(fā)布日期：2021-02-01 14:29【大 中 小】
文章導(dǎo)讀：射頻真空等離子表面處理設(shè)備已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)領(lǐng)域，包括等離子體材料表面改性、等離子體聚合、等離子體刻蝕等工藝中。關(guān)于射頻真空等離子表面處理設(shè)備的陽(yáng)極鞘層，在專業(yè)知識(shí)點(diǎn)中還是比較重要的，對(duì)大多數(shù)朋友來(lái)講可能還是比較的陌生，今天我們普樂(lè)斯整理的一些內(nèi)容分享給大家。
射頻真空等離子表面處理設(shè)備已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)領(lǐng)域，包括等離子體材料表面改性、等離子體聚合、等離子體刻蝕等工藝中。關(guān)于射頻真空等離子表面處理設(shè)備的陽(yáng)極鞘層，在專業(yè)知識(shí)點(diǎn)中還是比較重要的，對(duì)大多數(shù)朋友來(lái)講可能還是比較的陌生，今天我們普樂(lè)斯整理的一些內(nèi)容分享給大家。
 
普樂(lè)斯射頻真空等離子表面處理設(shè)備
 
為了方便大家能夠充分理解，我們統(tǒng)一下概念，這里所講的陽(yáng)極，對(duì)于射頻真空等離子表面處理設(shè)備就是接地極；而陰極，則是接射頻的饋入電極。
 
1 射頻真空等離子表面處理設(shè)備陽(yáng)極鞘層的結(jié)構(gòu)
 
射頻真空等離子表面處理設(shè)備陽(yáng)極鞘層主要是由過(guò)渡區(qū)和德拜屏蔽層構(gòu)成的。
 
1-1除鞘電壓的大小之外，陽(yáng)極鞘層本質(zhì)上與浮置基板前的等離子體鞘大致相同。進(jìn)入鞘層的離子必須要有kTe/e的能量，因此也有一個(gè)準(zhǔn)中性的過(guò)渡區(qū)。
1-2陽(yáng)極鞘層比陰極鞘層約小1個(gè)數(shù)量級(jí)，厚度很薄，但比按德拜屏蔽求出的德拜長(zhǎng)度要大。在陽(yáng)極鞘中基本上不會(huì)發(fā)生碰撞，特別是不會(huì)發(fā)生電離，這一點(diǎn)與陰極鞘層是有所不同，盡管陰極鞘層中電離也很少。
 
此外由于陽(yáng)極的鞘電壓相當(dāng)?shù)?，只有約10~15V，因此電子密度其實(shí)并不等于零，也就沒(méi)有陰極鞘層中那樣的空間電荷限制電流區(qū)。
 
2 射頻真空等離子表面處理設(shè)備的二次電子發(fā)射
 
2-1陽(yáng)極鞘層與理想模型的區(qū)別在于，陽(yáng)極也可發(fā)射二次電子。通常陽(yáng)極鞘層的極性是等離子體電位高于陽(yáng)極電位。在這種情況下，發(fā)射的二次電子便成為負(fù)輝區(qū)的電子源和能量源；但進(jìn)入負(fù)輝區(qū)后又會(huì)被逆向加速。
2-2撞擊陽(yáng)極的粒子中，雖然大部分是在負(fù)輝區(qū)產(chǎn)生的離子、電子和光子，但也有陰極鞘層中產(chǎn)生的高速電
子。這些高速電子在穿越負(fù)輝區(qū)時(shí)并未發(fā)生多次碰撞，因而能以相當(dāng)大的能量撞擊陽(yáng)極，成了陽(yáng)極中的一種重要的輸入功率。
2-3負(fù)輝區(qū)產(chǎn)生的低速電子也同高速電子一起到達(dá)陽(yáng)極。而且一般來(lái)說(shuō)，電子撞擊陽(yáng)極時(shí)的二次電子發(fā)射系數(shù) δ 比離子撞擊時(shí)的二次電子發(fā)射系數(shù) γi大。
 
射頻真空等離子表面處理設(shè)備真空腔體
 
具體詳細(xì)關(guān)于射頻真空等離子表面處理設(shè)備的知識(shí)我們會(huì)再后續(xù)的文章中與大家進(jìn)行分享！

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